在近期开幕的OCP Global Summit 2025上，英伟达（NVIDIA）正式发布了面向未来 AI 数据中心的800 V 高压直流（800 VDC）电源架构，并同步发表题为《800 VDC Architecture for Next-Generation AI Infrastructure》的白皮书，揭示其 “AI Factory（人工智能工厂）” 愿景。英伟达创始人黄仁勋指出，AI Factory 将成为继电力与互联网之后的 “第三次基础设施革命”——在这个新时代，算力将像电力一样被生成、输送和消耗，成为推动全球经济与产业智能化的核心能源。
图 1：英伟达从 415 伏交流（上）到 800 伏直流（下）的配电架构演进
https://developer.nvidia.com/blog/building-the-800-vdc-ecosystem-for-efficient-scalable-ai-factories/
英伟达在最新的Vera Rubin GPU 平台与Kyber 系统架构中将首次采用 800 VDC 供电体系，使单机柜功率从传统的 200 kW 跃升至 1 MW，为“千兆瓦级 AI 工厂（Gigawatt AI Factories）”提供能源基础。相较传统 54 V 架构，800 VDC 让电流降低 15 倍以上，铜损显著减少，布线更轻、更高效。
根据英伟达发布的白皮书，在未来兆瓦级 AI 系统中，传统硅器件的效率与热管理已接近极限。要在有限空间内实现更高算力密度与更低能耗，就必须采用能够在高电压、高频率下运行的新型功率器件。氮化镓（GaN）因此成为 800 VDC 架构中不可或缺的关键技术，也是此次800 VDC架构解决方案的核心。氮化镓能在超高频率（高达1-10MHz）下保持低损耗运行，整体系统能效提升 10–13%，功率密度提升 50% 以上。这意味着在相同机柜体积内可容纳更多算力，而能耗与散热需求却显著下降。
在英伟达的主题 Keynote 中，英诺赛科（Innoscience）被重点展示为 800 VDC 生态体系的核心合作伙伴。作为全球领先、也是唯一覆盖 15 V 至 1200 V 全电压范围量产的 GaN IDM 企业，英诺赛科可提供从 800 V 输入到 1 V GPU 输出的全链路 GaN 解决方案，并已在数据中心、电动汽车和消费电子等多个领域实现大规模应用，可以充分满足该方案的技术需求。
图 2：英伟达 OCP Keynote 中展示 InnoScience 标志的 800 VDC 生态合作伙伴画面
业内专家认为，随着英伟达 800 VDC 路线图的发布，AI 数据中心正从“54 V 时代”迈向“800 V 时代”，这不仅是能效的跨越，更是能源体系的革命。在这场能效革命中，GaN脱颖而出，成为整个方案当中的最大关键和亮点，而全球GaN龙头英诺赛科，也或将因此成为800 VDC变革当中的最大赢家。
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